FC-CSP基板技術能力
WB-CSP基板技術能力
Memory-eMMC基板技術能力
Memory-MSD基板技術能力
RF基板技術能力
MEMS-SEN基板技術能力
MEMS-MIC基板技術能力
FC-CSP基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 線寬trace width/線距space:12/12μm,密集線路
· 值球焊墊中心距/Bump pitch:180μm
· 油墨類型/Solder resistor type:干膜型/liquid and dry film type
· 典型表面處理/Typical Surface finish:OSP
· 油墨對準度SM Registration:±20μm
· 支持阻抗設計/Support Impedance
FC-CSP基板
基板特征
· 2~6層板
· 封裝方式: FC
· 線寬/線距:12/12μm~25μm/25μm
應用領域
FCCSP基板用于智能手機、平板、多媒體設備等領域高端處理器芯片的封裝。
WB-CSP基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 線寬trace width/線距space:30/30μm,密集線路
· 手指finger width/手指間距finger space:90/40μm
· 油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 嚴格的油墨平整度要求/ Strict SM flatness control ≤5μm
· 油墨對準度SM Registration:±20μm
· 支持內層厚銅設計/support Inner Layer Cu Thickness 1OZ
· 支持阻抗設計/Support Impedance
· 支持無引線電鍍鎳金設計/Support Bussless
WB-CSP基板
基板特征
· 2~6層板
· 封裝方式: WB
· 尺寸: 3x3mm - 23x23mm
· 板厚: 0.11mm~0.56mm
· 線寬/線距:25/25μm~40μm/40μm
應用領域
手機,平板電腦,機頂盒等用的應用處理器
Memory-eMMC基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,3,4
· 薄板: 2L 100μm, 3L 130μm, 4L 170μm
· 線寬pitch/width/space:50/18/20μm , 手指 pitch/width/space:70/40/15μm
· 油墨平整度SR Flatness:線路3μm, 孔5μm
· 油墨油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 盲孔孔徑BLV/孔盤Land:65/125μm
Memory-eMCP基板
基板特征
· 2,3,4層板/
· 打線手指節距70~90μm
· 嚴格的油墨平整度控制
表面處理:電金+OSP
應用領域
應用于手機、PC、服務器等設備中的嵌入式存儲芯片封裝。
Memory-MSD基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4
· 板厚: 2L 130μm, 210μm 4L 220μm
· 線寬pitch/width/space:70/20/20μm , 手指 pitch/width/space:90/35/15μm
· 油墨平整度SR Flatness:線路3μm, 孔5μm
Memory-MSD基板
基板特征
· 2~4層板
· 板厚:130μm
· 打線手指節距:75μm~100μm
· 油墨種類:黑油
· 表面處理:電硬金,電鍍軟金
應用領域
應用于手機,導航,數碼相機,PAD, Laptop等設備中的Memory模塊。
RF基板技術能力
· 層數/layer amount: 2-6
· 線寬公差:減成法:±10μm,改進半加成法: :±5μm /Subtractive Process:±10μm,MSAP: :±5μm
· 表面處理:化學學鎳鈀金或電鍍鎳金,支持WB和FC封裝/ Surface finish: ENEPIG and Ni&Au,support WB and FC assembly
· 盲孔孔徑/孔盤:60/110μm, BLV Dia/Land: 60/110μm
· 相鄰層與任意層層間對位能力/Layer shift :Adjacent layer / Any layer:25μm Max/50μm Max
· 支持孔上打線設計,塞孔凹陷-3~+5μm/Support via on finger design,dimple range -3~5μm
RF基板
基板特征
· 2~8層板
· 表面處理方式: 電鍍鎳金,無引線電鎳金,化學鎳鈀金,OSP 等
· 嚴格的圖形和厚度一致性管控
· 嚴格的層間對位管控
應用領域:
應用于手機、可穿戴設備中的RFFEM模塊等。
MEMS-SEN基板技術能力
· 2層板板厚/2L Thin board , Total thickness : 100μm ±20μm;
· 線寬trace width/線距space:25/25μm
· 油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 盲孔孔徑BLV/孔盤Land:65/125μm
· 油墨對準度SM Registration:±15μm
· 支持無引線電鍍鎳金設計/Support Bussless
MEMS-SEN基板
基板特征
· 2層板
· 薄板:100μm~130μm
· 精細線路
· 表面處理方式: 電鍍鎳金,無引線電鎳金,化學鎳鈀金,OSP 等
· 嚴格的翹曲度控制
應用領域
應用于智能手機、可穿戴設備、汽車、醫療等領域的傳感器封裝。
MEMS-MIC基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 埋電容材料電容密度/nEmbeded capacitance density Max.40nf/in2:
· 容值精度/Capacitor value tolerance: Target±20%
· 埋電阻材料方阻率/Rs for Embeded resistance material:10~250 Ω/□
· 基板阻值精度/Resistor value tolerance: Target±20%
· 結構多樣,支持樹脂塞孔和銅塞孔/ Multiple structure, support resin and copper plugging
· 聲孔孔徑公差/ Port Hole Dia Tolerance (NPTH):±50μm
MEMS-MIC基板
基板特征
· 2,4,6層板
· 埋容埋阻技術
應用領域
應用于智能手機、智能音箱、可穿戴和PC等設備中的微機電系統-麥克風模組封裝。
FC-CSP基板技術能力
WB-CSP基板技術能力
Memory-eMMC基板技術能力
Memory-MSD基板技術能力
RF基板技術能力
MEMS-SEN基板技術能力
MEMS-MIC基板技術能力
FC-CSP基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 線寬trace width/線距space:12/12μm,密集線路
· 值球焊墊中心距/Bump pitch:180μm
· 油墨類型/Solder resistor type:干膜型/liquid and dry film type
· 典型表面處理/Typical Surface finish:OSP
· 油墨對準度SM Registration:±20μm
· 支持阻抗設計/Support Impedance
FC-CSP基板
基板特征
· 2~6層板
· 封裝方式: FC
· 線寬/線距:12/12μm~25μm/25μm
應用領域
FCCSP基板用于智能手機、平板、多媒體設備等領域高端處理器芯片的封裝。
WB-CSP基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 線寬trace width/線距space:30/30μm,密集線路
· 手指finger width/手指間距finger space:90/40μm
· 油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 嚴格的油墨平整度要求/ Strict SM flatness control ≤5μm
· 油墨對準度SM Registration:±20μm
· 支持內層厚銅設計/support Inner Layer Cu Thickness 1OZ
· 支持阻抗設計/Support Impedance
· 支持無引線電鍍鎳金設計/Support Bussless
WB-CSP基板
基板特征
· 2~6層板
· 封裝方式: WB
· 尺寸: 3x3mm - 23x23mm
· 板厚: 0.11mm~0.56mm
· 線寬/線距:25/25μm~40μm/40μm
應用領域
手機,平板電腦,機頂盒等用的應用處理器
Memory-eMMC基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,3,4
· 薄板: 2L 100μm, 3L 130μm, 4L 170μm
· 線寬pitch/width/space:50/18/20μm , 手指 pitch/width/space:70/40/15μm
· 油墨平整度SR Flatness:線路3μm, 孔5μm
· 油墨油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 盲孔孔徑BLV/孔盤Land:65/125μm
Memory-eMCP基板
基板特征
· 2,3,4層板/
· 打線手指節距70~90μm
· 嚴格的油墨平整度控制
表面處理:電金+OSP
應用領域
應用于手機、PC、服務器等設備中的嵌入式存儲芯片封裝。
Memory-MSD基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4
· 板厚: 2L 130μm, 210μm 4L 220μm
· 線寬pitch/width/space:70/20/20μm , 手指 pitch/width/space:90/35/15μm
· 油墨平整度SR Flatness:線路3μm, 孔5μm
Memory-MSD基板
基板特征
· 2~4層板
· 板厚:130μm
· 打線手指節距:75μm~100μm
· 油墨種類:黑油
· 表面處理:電硬金,電鍍軟金
應用領域
應用于手機,導航,數碼相機,PAD, Laptop等設備中的Memory模塊。
RF基板技術能力
· 層數/layer amount: 2-6
· 線寬公差:減成法:±10μm,改進半加成法: :±5μm /Subtractive Process:±10μm,MSAP: :±5μm
· 表面處理:化學學鎳鈀金或電鍍鎳金,支持WB和FC封裝/ Surface finish: ENEPIG and Ni&Au,support WB and FC assembly
· 盲孔孔徑/孔盤:60/110μm, BLV Dia/Land: 60/110μm
· 相鄰層與任意層層間對位能力/Layer shift :Adjacent layer / Any layer:25μm Max/50μm Max
· 支持孔上打線設計,塞孔凹陷-3~+5μm/Support via on finger design,dimple range -3~5μm
RF基板
基板特征
· 2~8層板
· 表面處理方式: 電鍍鎳金,無引線電鎳金,化學鎳鈀金,OSP 等
· 嚴格的圖形和厚度一致性管控
· 嚴格的層間對位管控
應用領域:
應用于手機、可穿戴設備中的RFFEM模塊等。
MEMS-SEN基板技術能力
· 2層板板厚/2L Thin board , Total thickness : 100μm ±20μm;
· 線寬trace width/線距space:25/25μm
· 油墨類型/Solder resistor type:液態和干膜型/liquid and dry film type
· 盲孔孔徑BLV/孔盤Land:65/125μm
· 油墨對準度SM Registration:±15μm
· 支持無引線電鍍鎳金設計/Support Bussless
MEMS-SEN基板
基板特征
· 2層板
· 薄板:100μm~130μm
· 精細線路
· 表面處理方式: 電鍍鎳金,無引線電鎳金,化學鎳鈀金,OSP 等
· 嚴格的翹曲度控制
應用領域
應用于智能手機、可穿戴設備、汽車、醫療等領域的傳感器封裝。
MEMS-MIC基板技術能力
· 層數/layer amount: 2,4,6
· 埋電容材料電容密度/nEmbeded capacitance density Max.40nf/in2:
· 容值精度/Capacitor value tolerance: Target±20%
· 埋電阻材料方阻率/Rs for Embeded resistance material:10~250 Ω/□
· 基板阻值精度/Resistor value tolerance: Target±20%
· 結構多樣,支持樹脂塞孔和銅塞孔/ Multiple structure, support resin and copper plugging
· 聲孔孔徑公差/ Port Hole Dia Tolerance (NPTH):±50μm
MEMS-MIC基板
基板特征
· 2,4,6層板
· 埋容埋阻技術
應用領域
應用于智能手機、智能音箱、可穿戴和PC等設備中的微機電系統-麥克風模組封裝。